IC-SUBSTRATE

Grundpfeiler für das Informationszeitalter

Moderne Mikrochips wie die Prozessoren in Smartphones und Computern oder die Kerne in modernen Grafikkarten vereinen Milliarden von Transistoren auf kleinstem Raum. IC-Substrate (IC, Integrated Circuit) werden verwendet, um diese hochkomplexen Mikrochips mit den Leiterplatten zu verbinden, auf denen Speicher, Stromversorgung und andere wichtige Systemkomponenten montiert sind.

Produktvorteile im Überblick

  • AT&S Substrate bieten hohe Leistung und bewährte Zuverlässigkeit.
  • Wir können unsere Substrate flexibel an die Wünsche unserer Kunden anpassen.
  • Die hohe Flexibilität ermöglicht es, rasch neue Lösungen für wechselnde Anforderungen zu finden.

Dimensionen überbrücken

Substrate verbinden die winzigen Ein- und Ausgänge leistungsfähiger Mikrochips mit den viel größeren Strukturen der Leiterplatte und bilden so die Brücke zwischen der Nanowelt der Halbleiterindustrie und der Mikrowelt der Leiterplatten. Substrate sind heute Teil des Gehäuses nahezu aller Hochleistungs-Mikrochips und bilden damit eine wichtige Grundlage für jede Form der Datenverarbeitung.

Mikrochips entfalten ihre Kraft mit IC-Substraten von AT&S

Innovation für die Halbleiterindustrie

AT&S bietet IC-Substrate für Flip-Chip-Anwendungen in verschiedenen Formfaktoren für Hochleistungs-Anwendungen an.

Die Basis für die Verbindungstechnik und das Packaging von Hochleistungshalbleitern, die in jedem modernen Computer enthalten sind, ist die Flip-Chip-Technologie. Bei diesem Verfahren werden Tausende von Kontakten zwischen den Anschlüssen des Mikrochips und dem Substrat über kleine Lötkugeln hergestellt. Diese Art der Verbindung ist effizient und ermöglicht Kontaktdichten, die mit älteren Technologien nicht erreicht werden.

Bei AT&S verwenden wir für die Herstellung von Substraten einen fortschrittlichen Aufbauprozess, der hochautomatisiert und berührungslos ist und vollständig in einer Reinraumumgebung stattfindet.

Die Fertigung beginnt mit der Herstellung eines verstärkten Kerns, dem sogenannten Core – mit kupferplattierten Durchkontaktierungen – der als Basis für den Aufbau mehrerer Schichten aus isolierendem Dielektrikum und Kupferschaltungen dient. Dabei setzen wir modernste Technologien wie unser semi-additives mSAP-Verfahren ein. Dieser flexible Ansatz bietet die beste Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Wertigkeit für branchenführende High-Density-Verbindungstechnologien.

AT&S Explainer Movie - IC Substrate

Supercomputer und 3D-Scanner

Hochentwickelte Mikrochips, die auf Substrate angewiesen sind, um die Integration in elektronische Systeme zu ermöglichen, werden nicht nur in PCs und Servern für Rechenzentren eingesetzt. Auch die 5G-Netze, durch die wir mit unseren Smartphones im Internet surfen, benötigen leistungsstarke Elektronik, um ihre Vorteile ausspielen zu können. Dasselbe gilt für Supercomputer, die für wissenschaftliche Zwecke wie Klimasimulationen oder die Entwicklung neuer Arzneimittel eingesetzt werden können. Einige Hightech-Anwendungen, wie das 3D-Scannen einer Umgebung, beruhen auf komplexen Sensoren, für die leistungsstarke Chips und Substrate erforderlich sind.

AT&S IC Substrates Applications
Ein Großteil der Datenverarbeitung, die uns die Nutzung von Video-Streaming-Diensten und Apps ermöglicht, findet in der Cloud statt. Die Rechenzentren, die das ermöglichen, verwenden starke Prozessoren und müssen mit entsprechenden Substraten ausgestattet werden.
AT&S IC Substrates Applications
Leistungsstarke PCs und Laptops sind auf hochentwickelte Prozessoren angewiesen. Diese können nur mit modernsten Substraten in Computer, Server und mobile Endgeräte integriert werden.
AT&S IC Substrates Applications
Grafikkarten werden nicht nur für Spiele, sondern zunehmend auch für die Datenanalyse eingesetzt. Die Rechenkerne, die das ermöglichen, benötigen Substrate.

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Technische Daten

IC Substrates
Product CharacteristicsSpecifications
Build-up Layersup to 10-2-10
Buried Core (reinforced)2-layer 100 µm thick, minimum
Build-up Laser Via Interconnect Laser Blind Via, 49 µm minimum diameter
Core Layer Copper Thickness 20 µm, 25 µm, 35 µm (typical)
Core Layer Line/Space (subtractive)50/50 µm, 60/60 µm minimum

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IC-Substrate treiben die Digitalisierung an.

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