IC-SUBSTRATE
Grundpfeiler für das Informationszeitalter
Moderne Mikrochips wie die Prozessoren in Smartphones und Computern oder die Kerne in modernen Grafikkarten vereinen Milliarden von Transistoren auf kleinstem Raum. IC-Substrate (IC, Integrated Circuit) werden verwendet, um diese hochkomplexen Mikrochips mit den Leiterplatten zu verbinden, auf denen Speicher, Stromversorgung und andere wichtige Systemkomponenten montiert sind.
Produktvorteile im Überblick
- AT&S Substrate bieten hohe Leistung und bewährte Zuverlässigkeit.
- Wir können unsere Substrate flexibel an die Wünsche unserer Kunden anpassen.
- Die hohe Flexibilität ermöglicht es, rasch neue Lösungen für wechselnde Anforderungen zu finden.
Dimensionen überbrücken
Substrate verbinden die winzigen Ein- und Ausgänge leistungsfähiger Mikrochips mit den viel größeren Strukturen der Leiterplatte und bilden so die Brücke zwischen der Nanowelt der Halbleiterindustrie und der Mikrowelt der Leiterplatten. Substrate sind heute Teil des Gehäuses nahezu aller Hochleistungs-Mikrochips und bilden damit eine wichtige Grundlage für jede Form der Datenverarbeitung.
Innovation für die Halbleiterindustrie
AT&S bietet IC-Substrate für Flip-Chip-Anwendungen in verschiedenen Formfaktoren für Hochleistungs-Anwendungen an.
Die Basis für die Verbindungstechnik und das Packaging von Hochleistungshalbleitern, die in jedem modernen Computer enthalten sind, ist die Flip-Chip-Technologie. Bei diesem Verfahren werden Tausende von Kontakten zwischen den Anschlüssen des Mikrochips und dem Substrat über kleine Lötkugeln hergestellt. Diese Art der Verbindung ist effizient und ermöglicht Kontaktdichten, die mit älteren Technologien nicht erreicht werden.
Bei AT&S verwenden wir für die Herstellung von Substraten einen fortschrittlichen Aufbauprozess, der hochautomatisiert und berührungslos ist und vollständig in einer Reinraumumgebung stattfindet.
Die Fertigung beginnt mit der Herstellung eines verstärkten Kerns, dem sogenannten Core – mit kupferplattierten Durchkontaktierungen – der als Basis für den Aufbau mehrerer Schichten aus isolierendem Dielektrikum und Kupferschaltungen dient. Dabei setzen wir modernste Technologien wie unser semi-additives mSAP-Verfahren ein. Dieser flexible Ansatz bietet die beste Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Wertigkeit für branchenführende High-Density-Verbindungstechnologien.
Supercomputer und 3D-Scanner
Hochentwickelte Mikrochips, die auf Substrate angewiesen sind, um die Integration in elektronische Systeme zu ermöglichen, werden nicht nur in PCs und Servern für Rechenzentren eingesetzt. Auch die 5G-Netze, durch die wir mit unseren Smartphones im Internet surfen, benötigen leistungsstarke Elektronik, um ihre Vorteile ausspielen zu können. Dasselbe gilt für Supercomputer, die für wissenschaftliche Zwecke wie Klimasimulationen oder die Entwicklung neuer Arzneimittel eingesetzt werden können. Einige Hightech-Anwendungen, wie das 3D-Scannen einer Umgebung, beruhen auf komplexen Sensoren, für die leistungsstarke Chips und Substrate erforderlich sind.
Technische Daten
Product Characteristics | Specifications |
---|---|
Body size | up to 100x100 |
Build-up Layers | up to 12-2-12 |
Buried Core (reinforced) | 2-layer (min 100um thick); multilayer core |
Build-up Laser Via Interconnect | Laser Blind Via, 48 µm minimum diameter |
Core Layer Copper Thickness | 20 µm, 25 µm, 35 µm (typical) |
Core Layer Line/Space (subtractive) | 40/40 µm minimum (LTH) |
Core thickness | MTH & LTH - up to 1200 µm and beyond |
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