Optische Transceiver: Leistung für die KI-Datenautobahn
Das exponentielle Wachstum von KI-Technologien verändert die Regeln für unsere Dateninfrastruktur grundlegend. Optische Transceiver stehen im Zentrum dieser Entwicklung, weil sie den ultraschnellen und energieeffizienten Datenaustausch zwischen GPUs, Beschleunigern und Rechenknoten ermöglichen. Wenn die Datenraten von 800G auf 1,6T (Gigabit pro Sekunde/Terabit pro Sekunde) und noch höher steigen, ist Performance nicht länger optional. Sie ist geschäftskritisch.
Optische Hochgeschwindigkeits-Transceiver bilden das Rückgrat moderner KI- und Hyperscale-Netzwerke. Im Vergleich zu klassischen elektrischen Verbindungen bieten sie eine höhere Bandbreitendichte und bessere Energieeffizienz, also genau das, was Rechenzentren der nächsten Generation am dringendsten benötigen. AT&S unterstützt diese Entwicklung mit fortschrittlichen Leiterplatten- und Substratlösungen für optische Hochgeschwindigkeitsmodule.
Von 400G bis 1,6T und darüber hinaus bietet AT&S serienerprobte Lösungen für heutige Anforderungen und Entwicklungsplattformen für die Technologien von morgen.
Vorteile von Leiterplatten für optische Hochgeschwindigkeits-Transceiver
Maximale Signalintegrität
Ultrafeine Leiterstrukturen und verkürzte Signalwege reduzieren Verluste und sichern die Integrität von Hochgeschwindigkeitssignalen.
Höhere Integrationsdichte
Fortschrittliches Routing und eingebettete Komponenten ermöglichen kompakte, leistungsstarke Moduldesigns.
Thermische und mechanische Zuverlässigkeit
Optimierte Via-Strukturen und Materialien sorgen für stabilen Betrieb bei extrem hohen Datenraten.
Von der Leiterplatte zur Systemplattform
KI-getriebene Arbeitsabläufe bringen Systemarchitekturen an ihre Grenzen. Der Datenverkehr innerhalb von Clustern steigt rasant, Upgrade-Zyklen werden kürzer und die Anforderungen an die Signalintegrität nehmen weiter zu.
Mit der Weiterentwicklung optischer Module hin zu maximaler Integration und ultrahohen Datenraten wird die Leiterplatte zu einer systemkritischen Komponente. Signalverluste, Verdrahtungsdichte, Wärmemanagement und mechanische Stabilität müssen als zusammenhängende Systeme gedacht werden.
Genau hier macht AT&S den Unterschied: Wir verbinden fortschrittliche Materialien, Präzisionsfertigung und simulationsgestütztes Design zu einer skalierbaren Plattform.
Der Schritt zu 1,6T, 3,2T und künftigen Multi-Terabit-Architekturen erfordert ein neues Maß an Integration und Miniaturisierung. Photonik-Komponenten rücken näher an die Leiterplatte, Signalwege werden kürzer und Toleranzen enger.
Technologien wie mSAP, SLP/HDI und 2.5D®-Integration ermöglichen ultrafeines Routing, geringere Verluste und kompakte Systemarchitekturen. In Kombination mit Advanced-Packaging-Ansätzen wie System-in-Package (SiP) und ECP® schafft AT&S die Grundlage für die optische Konnektivität von morgen.
Mehr Geschwindigkeit. Weniger Verlust.
Optische Hochgeschwindigkeitsmodule belohnen Präzision auf jeder Ebene. Mit mSAP erreicht AT&S ultrafeine Leiterbahnbreiten bis zu 18 µm und ermöglicht damit eine dichte Verdrahtung sowie verbesserte Signalintegrität.
Die nahezu senkrechten Kupferflanken der mSAP-Leiterzüge minimieren Hochfrequenzverluste, während fortschrittliche Ausrichtungs- und Via-Technologien Diskontinuitäten reduzieren. Das Ergebnis: saubere Signale, höhere Bandbreiten und langfristige Performance.
Gleichzeitig ermöglicht die 2.5D®-Integration das Einbetten photonischer Komponenten direkt in die Leiterplatte. Dadurch werden die Verbindungswege verkürzt und neue Integrationsmöglichkeiten erschlossen.
Entwickelt für thermische und systemische Performance
Mit steigenden Datenraten wird das Wärmemanagement zu einem entscheidenden Leistungsfaktor. AT&S nutzt fortschrittliche Via- und Laser-Trench-Technologien, um die Wärmeableitung deutlich zu verbessern und den thermischen Widerstand in optischen Modulen zu reduzieren.
Kupfergefüllte Vias erhöhen die mechanische Festigkeit und langfristige Zuverlässigkeit, während optimierte Materialsysteme Leiterverluste reduzieren und die Performance stabilisieren. In Kombination mit simulationsgestützter Entwicklung sorgt das für robusten Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.
Technische Daten
| Produkteigenschaften | Technische Daten |
|---|---|
| Datenraten | 400G bis 1,6T, Roadmap darüber hinaus |
| Leiterbahnbreite/-abstand | bis 18/22 µm, mSAP |
| Integration | hochentwickelte HDI-, 2.5D®- und SiP-Fähigkeiten |
| Thermische Lösungen | kupfergefüllte Vias, Laser-Trenching |
| Simulation | thermische, mechanische und Signalintegritätsanalyse |
Wir entwickeln moderne Leiterplatten- und Substratlösungen für optische Hochgeschwindigkeits-Transceiver, die in KI-Rechenzentren, Hyperscale-Netzwerken und Kommunikationsinfrastrukturen der nächsten Generation eingesetzt werden. Durch die Kombination von mSAP, HDI, 2.5D®-Integration, fortschrittlichen Wärmemanagement-Konzepten und simulationsgestütztem Design trägt AT&S dazu bei, Signalverluste zu reduzieren, die Verdrahtungsdichte zu erhöhen, die Wärmeableitung zu verbessern und zuverlässige Performance für 800G-, 1,6T- und künftige Architekturen für optische Module zu ermöglichen.
Entdecken Sie, wie wir Spitzenleistung für Halbleiter & Module sowie zukunftsfähige Kommunikations- und 5G-Infrastruktur ermöglichen.
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