IC Substrate

IC Substrate

Die Flip Chip Technologie ist die Grundlage für die Aufbau- und Verbindungstechnologie (Einhausung) von hochleistungsfähigen Halbleitern, die in Anwendungen von Smartphones, Tablets und PCs auf Endverbraucherebene als leistungsfähige Grafik-Workstations, Server oder IT Infrastruktur-Ausrüstung zum Einsatz kommen.

AT&S bietet IC Substrate für Flip Chip Anwendungen in verschiedenen Einzel- und Multi-Chip-, BGA und LGA Formfaktoren für hohe I/O´s Hochleistungsanwendungen, mit Micro Bumps für C4 oder TCB-Die-Attach. Die Substrate können ein- oder beidseitig mit passiven Komponenten bestückt sein und werden als Array-Streifen oder Einzelteile in JEDEC Trays geliefert.

Unser hochentwickelter Aufbauprozess, der hochautomatisiert, kontaktfrei und vollständig in Reinraumumgebung stattfindet, beginnt mit der Herstellung eines verstärkten Kerns mit kupfergefüllten Buried Vias (vergrabene Durchkontaktierungen), die eine Plattform für den Aufbau mehrerer Lagen eines nicht verstärkten dielektrischen Films abwechselnd mit Kupferschaltkreisen in einem Semi Additiv Prozess (SAP) bilden.

Dieses vielseitige System bietet die beste Kombination von Leistung, Zuverlässigkeit und Wert für branchenführende High Density Verbindungstechnologien.

FähigkeitenStandardproduktion
Aufbaulagen3+N+3
Buried Core (verstärkt)2 Layer/Multilayer, 100um Mindestdicke
Aufbau Film Dielektrikum Dicke25um ~ 40um
AufbaumaterialAFT GX-Serie
Core Via InterconnectLaser Through Via, Mechanical Through Via
Aufbau Laser Via InterconnectLaser Blind Via, 60um Durchmesser
Core Kupferschichtdicke25um typisch
Core Leiterzug/Abstand (subtraktiv)Mindestens 40um/60um
Aufbaulage Kupferschichtdicke18um nominal (typisch)
Aufbaulage Leiterzug/Abstand (SAP)Mindestens 9um/12un
LötstoppRoller Coated, laminierter Film
OberflächenfinishENEPIG
C4/Micro Bump pitch (Pb-freies Lötmittel)Mindestens 90um
Land Site Devices (chip passives)01005 min.